反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“npn/pnp”选择键设置为npn状态，再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“v（br）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。　也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，变容二极管，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。

深圳市宇创芯科技有限公司是一家专营各类电子元器件销售，专业工厂配单，提供电子元器件一站式服务。公司秉承“诚信经营，信誉，货真价实，互利共赢”的经营方针。

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肖特基二极管 （schottky barrier diode）

它是具有肖特基特性的'金属半导体结'的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或化，多为n型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，肇庆二极管，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的pn结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为rc时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100ghz。并且，mis（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

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